A.使帶電原子位置同向移動(dòng)
B.使帶電原子位置異向移動(dòng)
C.使正負(fù)電荷分居晶體兩側(cè)
D.使正負(fù)電荷抵消
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A.易于非基礎(chǔ)檢測
B.不易于非基礎(chǔ)檢測
C.可實(shí)現(xiàn)在線實(shí)時(shí)檢測
D.無法實(shí)現(xiàn)在線實(shí)時(shí)檢測
A.砂型鑄件
B.鋁、鎂合金
C.鈦合金
D.陶瓷件
A.濃度較低時(shí)，能達(dá)到吸附飽和狀態(tài)
B.濃度較高時(shí)，能達(dá)到吸附飽和狀態(tài)
C.濃度較低時(shí)，有較強(qiáng)的表面張力
D.濃度較高時(shí)，有較強(qiáng)的表面張力
A.脈沖寬度
B.頻率響應(yīng)
C.脈沖頻譜
D.最大使用靈敏度
A.管電壓
B.管電流
C.焦距
D.曝光時(shí)間
最新試題
影響定影的因素主要有（）。
下列關(guān)于顯像劑粉末吸附缺陷中滲透劑的說法正確的有（）。
筒形或環(huán)形鍛件的鍛造工藝是先鐓粗，后沖孔，再滾壓。因此，缺陷的取向比軸類鍛件和餅類鍛件中的缺陷取向復(fù)雜。所以對這類鍛件一般采用（）進(jìn)行檢測。
下列關(guān)于無限大固體介質(zhì)中聲速的說法錯(cuò)誤的有（）。
當(dāng)障礙物尺寸Df< < 波長λ時(shí)，會(huì)出現(xiàn)以下（）等現(xiàn)象。
標(biāo)準(zhǔn)試塊具有規(guī)定的（），這是標(biāo)準(zhǔn)試塊的基本要求。
滲透檢測通常在（）前進(jìn)行，表面處理后局部加工時(shí)需再次檢測。
按照受檢材料的相容性，可將滲透劑分為（）滲透劑。
屬于γ射線探傷設(shè)備的操作故障有（）。
軟X 射線管選用鉬作陽極靶，鉬靶和鎢靶比較，（）。