單項選擇題以下不是防止MOSFET被靜電擊穿的措施的是（）。
A.將電路存放在靜電包裝袋
B.焊接時電烙鐵應斷電
C.測試儀器必須良好接地
D.用手直接將MOSFET放到測試臺上
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1.單項選擇題以下不是引起IGBT的發(fā)生擎住效應的原因是（）。
A.集電極電流過大
B.電壓上升率過大
C.溫度升高
D.電源電壓過低
2.單項選擇題以下不是IGBT的管腳名稱的是（）。
A.集電極
B.發(fā)射極
C.柵極
D.門極
