RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時(shí)沒(méi)有外加電源供電，使得RAM成為了（）。

由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來(lái)實(shí)現(xiàn)的做法被稱為（）

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過(guò)程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.微指令地址B.控制存儲(chǔ)器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡(jiǎn)單G.復(fù)雜（1）微程序控制器是通過(guò)（）的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。（2）微程序控制器的控制信號(hào)被讀出后，還需經(jīng)過(guò)一個(gè)（）送到被控制部件。（3）相對(duì)硬連線控制器，微程序控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)（）。（4）為了獲得快一些的運(yùn)行速度，控制器部件應(yīng)選擇（）。（5）（）是微程序控制器的核心部件。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯(cuò)誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應(yīng)的邏輯電路組成的。（2）定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號(hào)位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算，其中（）加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡(jiǎn)單，電路實(shí)現(xiàn)也最方便。（3）執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要（），否則無(wú)法確定是否正確。（4）使用雙符號(hào)位執(zhí)行加減法運(yùn)算后，若兩個(gè)符號(hào)位不同，即出現(xiàn)01和10，表示運(yùn)算結(jié)果（）。（5）在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號(hào)位進(jìn)位，或符號(hào)位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出，可以用這兩個(gè)進(jìn)位輸出的（）操作來(lái)判斷。

若I/O類指令采用獨(dú)立編址，對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的影響主要是（）。

動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。

存儲(chǔ)器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專門的硬件寄存器，稱為（），而寄存器堆棧則沒(méi)有。

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，Y=0.1101，求[X -Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。

計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是（）。