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單項選擇題

在分析大扇入邏輯門時，內(nèi)部節(jié)點電容變得十分顯著從而不能忽略，對于下圖所示的四輸入NAND門及其RC模型，所有的NMOS尺寸相同，它們的等效電阻都為R_N，所有的PMOS尺寸相同，它們的等效電阻都為R_P，則其傳播延時可以表示為（）。

A.t_pHL=0.69R_N（C₁+2C₂+3C₃+4C_L）
B.t_pHL=0.69R_N（C₁+2C₂+3C₃+C_L）
C.t_pHL=0.69R_N（C₁+C₂+C₃+C_L）
D.t_pHL=0.69R_P（C₁+C₂+C₃+C_L）

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單項選擇題

為了使兩輸入NAND門的下拉延時與最小尺寸的反相器相同，在PDN串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中的NMOS器件必須設(shè)計為反相器中的NMOS寬度的（），以使NAND下拉網(wǎng)絡(luò)的等效電阻與反相器的相同。

A.二分之一
B.兩倍
C.一倍
D.四倍

單項選擇題

?如圖所示的互補CMOS門中，M₁與M₂管為相同尺寸與同一工藝條件制造的NMOS晶體管，則M₁管的閾值電壓V_th1與M₂管的電壓V_th2的關(guān)系是（）。

A.V_th1>V_th2
B.V_th1< V_th2
C.不確定
D.V_th1=V_th2