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問(wèn)答題
【計(jì)算題】
已知電路參數(shù)如圖所示，F(xiàn)ET工作點(diǎn)上的互導(dǎo)gm=1mS，設(shè)rd≥Rd。
（1）畫出小信號(hào)等效電路；
（2）求電壓增益Àv；
（3）求放大電路的輸入電阻Ri。
答案：
（1）畫小信號(hào)等效電路
忽略rd，可畫出圖中的小信號(hào)等效電路，如下圖所示。
（2）求ÀV
（3）求Ri
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】
四個(gè)FET的轉(zhuǎn)移特性分別如圖a、b、c、d所示，其中漏極電流iD的方向是它的實(shí)際方向。試問(wèn)它們各是哪種類型的FET？
答案：
由圖可見(jiàn)：圖a為P溝道JFET；圖b為N溝道耗盡型MOSFET；圖c為P溝道耗盡型MOSFET；圖d為N溝道...
由圖可見(jiàn)：圖a為P溝道JFET；圖b為N溝道耗盡型MOSFET；圖c為P溝道耗盡型MOSFET；圖d為N溝道...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】
一個(gè)MOSFET的轉(zhuǎn)移特性如圖所示（其中漏極電流iD的方向是它的實(shí)際方向）。試問(wèn)：
（1）該管是耗盡型還是增強(qiáng)型？
（2）是N溝道還是P溝道FET？
（3）從這個(gè)轉(zhuǎn)移特性上可求出該FET的夾斷電壓VP還是開(kāi)啟電壓VT？其值等于多少？
答案：
由圖可見(jiàn)，它是P溝道增強(qiáng)型MOSFET，其VT=－4V。
