簡(jiǎn)述長(zhǎng)時(shí)程增強(qiáng)效應(yīng)。

裂腦人實(shí)驗(yàn)證明了（）

論述海馬的兩個(gè)記憶回路及其證據(jù)。

簡(jiǎn)述自閉癥譜系障礙（ASD）的核心癥狀、重型和輕型表現(xiàn)。

慢性埋藏電極刺激動(dòng)物腦的某些部位會(huì)引發(fā)動(dòng)物的自我刺激行為，其中以內(nèi)側(cè)前腦束后部的陽性自我刺激反應(yīng)率最高，這是因?yàn)椋ǎ┩泛停ǎ┩吩诖藭?huì)合。

記憶痕跡理論認(rèn)為電抽搐會(huì)干擾短時(shí)記憶的原因是（）

簡(jiǎn)述記憶痕跡理論的主要觀點(diǎn)。

海馬的兩個(gè)記憶回路包括：（）和（）。

（）是先做一個(gè)對(duì)照實(shí)驗(yàn)，再完成正式實(shí)驗(yàn)，將兩次實(shí)驗(yàn)的腦功能圖像或數(shù)據(jù)相減，所得的差值或圖像中的激活區(qū)，作為該項(xiàng)認(rèn)知功能的腦功能基礎(chǔ)。

生物學(xué)陰性情緒包括（）