IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。