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多項(xiàng)選擇題

GIS中有可能引起電場畸變的主要絕緣缺陷包括：（）。

A.自由金屬微粒；
B.絕緣子氣隙；
C.絕緣子表面金屬污染物；
D.懸浮電極。

你可能感興趣的試題

多項(xiàng)選擇題

GIS特高頻局部放電檢測技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)包括（）。

A.有效檢測GIS內(nèi)部局部放電并采集數(shù)據(jù)（峰值）；
B.有效信號與噪音信號分離；
C.缺陷類型自動識別；
D.傅里葉變換信號處理技術(shù)。

單項(xiàng)選擇題

GIS運(yùn)行中內(nèi)部出現(xiàn)放電聲，應(yīng)扣（）。

A.40分；
B.12分；
C.24分；
D.30分。

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