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問答題
【簡答題】簡述記憶痕跡理論的主要觀點。
答案：
①短時記憶的反響回路
記憶痕跡理論認為短時記憶是腦內(nèi)神經(jīng)元回路中，電活動的自我興奮作用所造成的反響振蕩；這種反響...
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填空題
慢性埋藏電極刺激動物腦的某些部位會引發(fā)動物的自我刺激行為，其中以內(nèi)側(cè)前腦束后部的陽性自我刺激反應(yīng)率最高，這是因為（）通路和（）通路在此會合。
答案：
多巴胺能神經(jīng)；去甲腎上腺素能
