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【計算題】硅突變pn結N
A
=5×10
18
cm
-3
,N
D
=1.5×10
16
cm
-3
,設pn結擊穿時的最大電場為E
c
=5×10
5
V/cm,計算pn結的擊穿電壓。
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【計算題】硅pn結的雜質濃度,計算pn結的反向擊穿電壓,如果要使其反向電壓提高到300V,n側的電阻率應為多少?
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【計算題】根據理想的pn結電流電壓方程,計算反向電流等于反向飽和電流的70%時的反偏電壓值。
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