A.0.01~10nmB.10~200nmC.>300nmD.>200nm
最新試題
1887年,Hertz建立了XPS技術(shù)的理論模型。
在體心點陣中,當(HKL)晶面的H+K+L為奇數(shù)時,產(chǎn)生系統(tǒng)消光。
掃描電鏡的背散射電子像中,圖像上亮區(qū)對應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)()暗區(qū)對應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)。
掃描電鏡的二次電子像中,樣品表面的深凹槽底部產(chǎn)生較多二次電子,在熒光屏上這些部位的亮度較大。
關(guān)于stokes線和anti-Stokes線,說法正確的是()。