散射線忽略不計，當(dāng)平板透照厚度的減薄量相當(dāng)于半價層的1/×?xí)r，則膠片接受的射線照射量將增大百分之幾？

新置的Ir192γ射線源，其活度為40Ci，現(xiàn)今時隔300天，已知，Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度？該源新置時，對某工件進(jìn)行射線照相的曝光時間為4min，若所有條件不變，現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘？

圖所示的標(biāo)準(zhǔn)試件可用來測定（）。

寫出VC-S滲透探傷的工藝流程。

試驗(yàn)線圈激勵電流應(yīng)保持恒定，這樣用渦流系統(tǒng)得到的試件信息（）。