A.Es1T1 B.ES1>ES1 C.ES1T0 D.ES0>ET1
A.Ba B.K C.Si D.Fe
A.功率增大可降低化學(xué)干擾的影響 B.離線圈越高,原子化程度越大,信號強度越大 C.功率越高,理想光譜激發(fā)區(qū)越低 D.起冷卻作用的Ar氣對準(zhǔn)石英管中心吹入而冷卻石英管壁