多項選擇題在平衡氧氯化法VCM裝置中，VCM塔底的循環(huán)EDC氯化主要是指（）的氯化。
A.EDC
B.氯丁二烯
C.苯
D.三氯乙烯
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1.多項選擇題EDC裂解汽化器進料EDC經(jīng)過（）預(yù)熱后進入汽化器。
A.裂解爐輻射段
B.EDC預(yù)熱器
C.裂解爐對流段
D.EDC過熱器
2.多項選擇題在VCM裝置中，下列屬于低沸物的有（）
A.二氯乙烷
B.三氯乙烷
C.氯丁二烯
D.苯
3.多項選擇題氧氯化反應(yīng)器能產(chǎn)生的蒸汽有（）
A.低壓蒸汽
B.中壓蒸汽
C.高壓蒸汽
D.超高壓蒸氣
4.多項選擇題高溫直接氯化反應(yīng)器通過（）移走反應(yīng)熱。
A.冷卻器器
B.閃蒸罐閃蒸EDC
C.尾氣壓縮機
D.EDC循環(huán)量
5.多項選擇題為了回收EDC裂解爐出口高溫?zé)崃?，一般采用（?/a>
A.裂解爐對流段進料與裂解爐輻射段直接換熱
B.用裂解爐輻射段熱量產(chǎn)生蒸汽
C.用裂解爐輻射段出口高溫裂解氣使EDC汽化
D.直接進HCl塔
最新試題
影響流化床流化態(tài)的重要因素有（）
題型：多項選擇題
在VCM裝置中，EDC裂解爐在燒焦時超溫的危害性有（）
題型：多項選擇題
氧氣在線分析儀出現(xiàn)故障時，從工藝方面，應(yīng)檢查（）
題型：多項選擇題
EDC裂解爐進料低沸含量高，對裂解爐影響是（）
題型：多項選擇題
氯乙烯裝置直接氯化單元產(chǎn)品中高沸含量上升，主要原因是（）
題型：多項選擇題
VCM塔回流罐液位低限聯(lián)鎖，則對VCM精餾單元的影響是（）
題型：多項選擇題
在VCM裝置中，VCM產(chǎn)品罐出現(xiàn)超壓，危害有（）
題型：多項選擇題
氧氯化反應(yīng)器換熱蛇管泄漏，可能的原因是（）
題型：多項選擇題
氧氯化單元產(chǎn)品EDC純度下降，應(yīng)檢查（）
題型：多項選擇題
在HCl塔倒空置換時，下列說法正確的是（）
題型：多項選擇題