單項選擇題典型的薄膜生長工藝一般采用物理氣相淀積法進行，以下不屬于物理氣相淀積工藝的為（）。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學鍍
D.電鍍
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1.多項選擇題鑒定加速試驗中，溫度相關(guān)的試驗包括（）。
A.恒溫試驗
B.功率溫度組合循環(huán)試驗
C.溫度循環(huán)試驗
D.熱沖擊試驗
2.單項選擇題溫度循環(huán)試驗是在溫度均值上應(yīng)用一定幅值的溫度變化，溫度變化的速率是（）。
A.快速的
B.可變的
C.與溫度沒有關(guān)系
D.固定的
3.多項選擇題集成電路的電學測試包括功能測試和參數(shù)測試，以下屬于電學測試的為（）。
A.電流
B.電場強度
C.電壓
D.阻抗
4.單項選擇題以下電子產(chǎn)品的測試方法，屬于破壞性測試的為（）。
A.選擇性剝層
B.透射電鏡掃描
C.X射線檢測
D.紅外光譜分析
5.單項選擇題要觀察半導(dǎo)體器件上的針眼和小孔、鈍化層裂縫等缺陷，應(yīng)使用（）。
A.掃描電子顯微鏡
B.光學顯微鏡
C.透射電子顯微鏡
D.原子力顯微鏡
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）
題型：單項選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題