單項選擇題近代雙電層理論的基礎(chǔ)是（）
A.Gouy-Chapman-Grahame-Stern模型
B.Helmholtz模型
C.Gouy-Chapman模型
D.孔道雙電層模型
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1.單項選擇題構(gòu)成當(dāng)代電化學(xué)的基礎(chǔ)是（）
A.電化學(xué)界面的微觀結(jié)構(gòu)
B.界面吸附
C.界面動力學(xué)及理論處理
D.以上都是
2.單項選擇題
當(dāng)代電化學(xué)發(fā)展的特點包括（）
①研究的具體體系大為發(fā)展
②處理方法和理論模型開始深入分子水平
③在分子水平上檢測電化學(xué)界面的現(xiàn)場譜學(xué)電化學(xué)技術(shù)
④電化學(xué)界面結(jié)構(gòu)和界面行為的原子、分子水平信息大量涌現(xiàn)
A.①②③
B.①③④
C.①②④
D.①②③④
