單項(xiàng)選擇題如下說(shuō)法哪個(gè)是正確的（）
A.形成點(diǎn)缺陷所引起的熵的變化使晶體能量增加
B.晶體總是傾向于降低點(diǎn)缺陷的濃度
C.當(dāng)點(diǎn)缺陷濃度達(dá)到平衡值時(shí)，晶體自由能最低
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1.單項(xiàng)選擇題對(duì)Fe-Cr-C三元合金進(jìn)行滲碳的反應(yīng)擴(kuò)散，則該合金中不能出現(xiàn)（）
A.單相區(qū)
B.兩相區(qū)
C.三相區(qū)
2.單項(xiàng)選擇題能進(jìn)行攀移的位錯(cuò)可能是（）
A.弗蘭克位錯(cuò)
B.肖克萊位錯(cuò)
C.螺型全位錯(cuò)
