單項(xiàng)選擇題氣體擊穿電壓隨氣壓和極距的乘積而變，當(dāng)乘積為（）值時(shí)，氣體擊穿電壓有一個(gè)最小值。
A.最大
B.最小
C.一定
D.趨零
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1.單項(xiàng)選擇題在巴申曲線擊穿電壓最低值右側(cè)，因碰撞電離概率起主導(dǎo)作用，而碰撞次數(shù)起次要作用，隨著氣壓與極距乘積值加大，擊穿電壓（）。
A.不變
B.降低
C.突變
D.提高
2.單項(xiàng)選擇題湯森德理論闡述了（）氣體的放電過程。
A.短間隙
B.大間隙
C.固體中
D.長(zhǎng)間隙
3.單項(xiàng)選擇題起始電子在電場(chǎng)作用下發(fā)生碰撞電離，使（）迅速增加的現(xiàn)象稱為電子崩。
A.復(fù)合離子
B.帶電質(zhì)子
C.游離分子
D.運(yùn)動(dòng)電子
4.單項(xiàng)選擇題一般所說的電子崩，往往是指電子崩區(qū)域，電子崩頭的電荷密度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于崩的中部和崩的尾部，且（）集中在崩頭。
A.正電荷
B.分子流
C.負(fù)電荷
D.離子流
5.單項(xiàng)選擇題試驗(yàn)表明，擊穿通道是局限在狹窄的（）形通道中，且有分支，說明放電過程與局部條件有關(guān)，有偶然因素。
A.管狀
B.曲折
C.圓柱
D.圓錐
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集成穩(wěn)壓器使用時(shí)必須考慮交流電網(wǎng)電壓的變化與（）影響。
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