A.硅的逆向峰值電壓遠(yuǎn)高于鍺 B.硅工作溫度遠(yuǎn)低于鍺 C.硅二極管的切入電壓低于鍺 D.硅的逆向飽和電流高于鍺
A.外加電壓之頻率有關(guān) B.外加電流有關(guān) C.二極管之材料有關(guān) D.外加電壓有關(guān)
A.出現(xiàn)外加電壓 B.出現(xiàn)溫度差 C.載子濃度不同 D.電壓梯度不同