單項選擇題關于PN結半導體探測器，下列說法正確的是（）。

A.結區(qū)的電場為均勻電場
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無關
C.結區(qū)電容與外加電壓無關
D.外加電壓增大，耗盡層的寬度增加


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1.單項選擇題關于半導體作為探測器介質的物理性能，下列說法錯誤的是（）。

A.平均電離能比閃爍體探測器低
B.載流子數目服從泊松分布
C.電子遷移率與空穴遷移率相近
D.摻雜會大大降低半導體的電阻率

2.單項選擇題下列哪兩種性質是組成半導體探測器的關鍵？（）

A.高的電阻率，短的載流子壽命
B.高的電阻率，長的載流子壽命
C.低的電阻率，長的載流子壽命
D.低的電阻率，短的載流子壽命

4.單項選擇題與氣體探測器相比，下列哪一項不是半導體探測器的優(yōu)點？（）

A.能量分辨率好
B.對γ射線的探測效率高
C.結構緊湊
D.不易受射線損傷

5.單項選擇題下列哪項不是閃爍探測器必備的構成部分？（）

A.光電倍增器件
B.組分恒定的氣體環(huán)境
C.閃爍體
D.前置放大器