單項(xiàng)選擇題

（）是將電力MOSFET與晶閘管SCR組合而成的復(fù)合型器件。

A.MCT
B.SIT
C.SITH
D.IGCT

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單項(xiàng)選擇題

電力場效應(yīng)晶體管的英文表示為（）。

A.GTO
B.GTR
C.電力MOSFET
D.IGBT

單項(xiàng)選擇題

使IGBT開通的柵射極間驅(qū)動(dòng)電壓一般?。ǎ￢。

A.（-5）-（-15）
B.10-15
C.15-20
D.20-25

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