你可能感興趣的試題

將外部RAM1000H~1050H單元的內(nèi)容清零。

完成1000H開始的200（C8H）個數(shù)的過濾統(tǒng)計，在60及以上的統(tǒng)計到PASS，<60的到NOPASS。

利用R6，R7實現(xiàn)雙循環(huán)延時子程序

將1～10十個數(shù)乘2后再累加，結(jié)果送31H單元。

將50H～59H單元置0

將R0和R1中的兩個個位數(shù)進行平方元算，然后相加，和存入R2中。

根據(jù)R4中的內(nèi)容（元素序號）在DTATAB表格中查表，將查表得到的數(shù)據(jù)存入R5中。

將R0指向的兩個字節(jié)的低4位和并為一個字節(jié)，保存到原R0指向的存儲單元。

將R0中低4位的0~F的十六進制數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成ASCTAB中的編碼存放到R0中。

內(nèi)部RAM中ADDR（30H）開始的x個數(shù)據(jù)的比較，將最大的數(shù)字送MAX單元。x由LEN（20H）單元給出。