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半導體的主要特征有()()()和()。
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電阻率可在很大范圍內變化;溫度對半導體影響很大;光照對半導體影響很大;氣體、壓力、磁場等都對半導體影響很大
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氧化鋁(Al
2
O
3
)的介電常數一般低于氮化硅(Si
3
N
4
)的介電常數。
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MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現強反型時的最小柵極電壓,即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。
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