你可能感興趣的試題

關于劑量建成區(qū)形成的原因，錯誤的是（）

A.高能X（γ）射線入射到人體或模體時，在體表或皮下產(chǎn)生高能次級電子
B.雖然所產(chǎn)生的高能次級電子射程較短，但仍需穿過一定深度直至能量耗盡后停止
C.在最大電子射程內(nèi)高能次級電子產(chǎn)生的吸收劑量隨組織深度增加而增加
D.高能X（γ）射線隨組織深度增加，產(chǎn)生的高能次級電子減少
E.劑量建成區(qū)的形成實際是帶電粒子能量沉積過程

單項選擇題

現(xiàn)代高能直線加速器，電子束能量可提供（）

A.2~6MeV
B.6~10MeV
C.10~15MeV
D.15~20MeV
E.4~22MeV

實際應用中，能量低于多少的光子和β輻射被定義為弱貫穿輻射（）

你可能感興趣的試題

關于劑量建成區(qū)形成的原因，錯誤的是（）

現(xiàn)代高能直線加速器，電子束能量可提供（）

實際應用中，能量低于多少的光子和β輻射被定義為弱貫穿輻射（）

關于劑量建成區(qū)形成的原因，錯誤的是（）

現(xiàn)代高能直線加速器，電子束能量可提供（）