光伏探測(cè)器的頻率特性會(huì)隨著外接負(fù)載的變化而變化。

如圖所示是光纖的結(jié)構(gòu)示意圖，如果圖中所示序號(hào)為1的部分材質(zhì)的折射率為n1，序號(hào)為2的部分材質(zhì)折射率為n2，則以下有關(guān)n1和n2的關(guān)系中，正確是（）。

負(fù)載電阻越小，光電池的光電流和照度的線性度越好。

光伏探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間包括載流子的擴(kuò)散時(shí)間、載流子的漂移時(shí)間，以及外電路時(shí)間。

如圖所示是光在光纖中的傳播示意圖，圖中n0是空氣折射率，n1是光纖纖芯折射率，n2是光纖涂覆層折射率，根據(jù)圖中所示信息，（）表示光纖的受光角。

外接負(fù)載越大，光電池的頻率特性越差。

下面選項(xiàng)中能夠代表太陽能電池V-P（輸出電壓與輸出功率）特性曲線的是（）。

光纖型Mach-Zehnder干涉主要基于光纖干涉中光程差的變化測(cè)量，而光程差的變化，最終會(huì)引起相位差的變化，因此，光纖型Mach-Zehnder干涉也可以說是相位調(diào)制。當(dāng)真空中波長(zhǎng)為λ的光經(jīng)過光纖時(shí)，被調(diào)制光纖的長(zhǎng)度為L(zhǎng)，光纖纖芯的折射率為n，則光經(jīng)過光纖后，對(duì)應(yīng)的相位變化可以表示為（）。

如圖所示是一個(gè)光柵示意圖，根據(jù)圖中所示的信息，標(biāo)注為字母（）的可以表示光柵常數(shù)。

漂移時(shí)間不是限制光伏探測(cè)器的頻率特性的主要因素。