單項(xiàng)選擇題SGW與PGW之間的接口()
A、S6a
B、S11
C、S5/S8
D、SGI
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1.單項(xiàng)選擇題X2接口是提供()之間的互相連接。
A、eNODEeNODEB
B、eNODEEPC
C、eNODEUE
D、EPMME
2.單項(xiàng)選擇題eNodeB和eNodeB之間的接口是()。
A、S1-U
B、X2
C、S5
D、S11
3.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中,EPS中eNB與S-GW間的接口為
A、X1
B、S1-MME
C、S1
D、S1-U
4.單項(xiàng)選擇題eNB之間的接口是()
A、UU
B、S1
C、X2
D、S3
5.單項(xiàng)選擇題UE與eNB之間的接口是()
A、UU
B、S1
C、X2
D、Iu
最新試題
VOLTE中用戶在IMS注冊(cè)成功后,需要周期性在IMS重注冊(cè)。
題型:判斷題
直放站增益設(shè)置時(shí),為了抵消底噪,上行增益要大于下行增益。
題型:判斷題
UE在TAlist范圍內(nèi)移動(dòng)時(shí),不允許發(fā)起TAU流程。
題型:判斷題
SecondaryCell(SCC)∶輔小區(qū),是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立,輔小區(qū)就被配置以提供額外的無(wú)線資源。
題型:判斷題
VolTE呼叫建立時(shí)延除了覆蓋、干擾等常見影響外,網(wǎng)絡(luò)側(cè)的尋呼周期、DRX開關(guān)、Precondition流程、二次尋呼間隔都對(duì)呼叫建立時(shí)延有較大影響。
題型:判斷題
在接入成功率指標(biāo)分析過程中,通過話統(tǒng)Counter,可以執(zhí)行的動(dòng)作為()。
題型:多項(xiàng)選擇題
LTE系統(tǒng)是以CDMA和MIMO為主要技術(shù)基礎(chǔ)。
題型:判斷題
TAC越大,尋呼信道容量越小。
題型:判斷題
某LTE小區(qū)向3G重定向比例很高,一定表明該小區(qū)覆蓋范圍內(nèi)存在明顯的覆蓋不足。
題型:判斷題
有關(guān)LTE網(wǎng)絡(luò)無(wú)線鏈路失?。≧LF),下列說法錯(cuò)誤的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題