單項(xiàng)選擇題目前TD-LTE基帶芯片的最高工藝為多少工藝水平？
A、65nm
B、45nm
C、28nm
D、90nm
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1.單項(xiàng)選擇題4G終端是移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的重要驅(qū)動(dòng)，中國(guó)移動(dòng)將在今年采購超過（）部LTE終端，
以推動(dòng)TD-LTE終端規(guī)?；l(fā)展。
A、0.8億
B、1億
C、1.5億
D、2億
2.單項(xiàng)選擇題TD-LTE中，判斷終端是否處于小區(qū)覆蓋邊緣主要通過（）
A、CRS-SINR
B、RSRP
C、RSSI
D、RSRQ
最新試題
SecondaryCell（SCC）∶輔小區(qū)，是工作在輔頻帶上的小區(qū)。一旦RRC連接建立，輔小區(qū)就被配置以提供額外的無線資源。
題型：判斷題
VoLTE路測(cè)時(shí)的呼叫時(shí)長(zhǎng)設(shè)置要求是90秒。
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創(chuàng)建承載不成功，SGW回給的CreateSessionResponse消息的原因?yàn)椤肞GWnotresponding，處理辦法是∶（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
對(duì)基站進(jìn)行節(jié)能時(shí)，可以考慮在晚上0∶00以后將PB利用率低于30%的站點(diǎn)關(guān)閉。
題型：判斷題
LTE的SON功能，包括自配置、自優(yōu)化、自規(guī)劃。
題型：判斷題