單項(xiàng)選擇題

SRAM和DRAM存儲(chǔ)原理不同，它們分別靠（）來(lái)存儲(chǔ)0和1的。

A.雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)態(tài)和極間是否有足夠的電荷
B.內(nèi)部熔絲是否斷開(kāi)和雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.極間電荷和浮置柵是否積累足夠的電荷
D.極間是否有足夠的電荷和雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)態(tài)

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單項(xiàng)選擇題

掩膜ROM在制造時(shí)通過(guò)光刻是否連接MOS管來(lái)確定0和1，如果對(duì)應(yīng)的某存儲(chǔ)單元位沒(méi)有連接MOS管，則該位信息為（）。

A.不確定
B.0
C.1
D.可能為0，也可能為1

單項(xiàng)選擇題

某一EPROM芯片，其容量為32K×8，除電源和地線外，最小的輸入引腳和輸出引腳分別為（）。

A.15和8
B.32和8
C.17和8
D.18和10

SRAM和DRAM存儲(chǔ)原理不同，它們分別靠（）來(lái)存儲(chǔ)0和1的。

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掩膜ROM在制造時(shí)通過(guò)光刻是否連接MOS管來(lái)確定0和1，如果對(duì)應(yīng)的某存儲(chǔ)單元位沒(méi)有連接MOS管，則該位信息為（）。

某一EPROM芯片，其容量為32K×8，除電源和地線外，最小的輸入引腳和輸出引腳分別為（）。

SRAM和DRAM存儲(chǔ)原理不同，它們分別靠（）來(lái)存儲(chǔ)0和1的。

掩膜ROM在制造時(shí)通過(guò)光刻是否連接MOS管來(lái)確定0和1，如果對(duì)應(yīng)的某存儲(chǔ)單元位沒(méi)有連接MOS管，則該位信息為（）。

某一EPROM芯片，其容量為32K×8，除電源和地線外，最小的輸入引腳和輸出引腳分別為（）。