填空題（）存在二次擊穿現(xiàn)象，（）存在擎住現(xiàn)象。
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3.單項選擇題IGBT是一個復(fù)合型的器件，它是（）。
A.GTR驅(qū)動的MOSFET
B.MOSFET驅(qū)動的GTR
C.MOSFET驅(qū)動的晶閘管
D.MOSFET驅(qū)動的GTO
4.單項選擇題已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流（）。
A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下
5.單項選擇題為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲時間，桓流驅(qū)動電路經(jīng)常采用（）。
A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路
最新試題
9個JK觸發(fā)器，通過電路設(shè)計，可以接成（）進制以內(nèi)的，任意進制的計數(shù)器。
題型：單項選擇題
由兩個觸發(fā)器組成的時序電路，所以其工作狀態(tài)應(yīng)為（）種。
題型：單項選擇題
使用中若IC大于ICM，即使晶體管不損壞，β也會下降。
題型：判斷題
下面哪個集成元件為四位二進制超前進位全加器（）
題型：單項選擇題
反相比例運算，放大倍數(shù)為5，輸入0.2v，輸出為（）v。
題型：單項選擇題
對理想運放，當運放工作在線性區(qū)時，其輸出電壓與兩個輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。
題型：判斷題
并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中，硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負載（）
題型：單項選擇題
交流放大電路接入負載電阻后，對靜態(tài)工作狀態(tài)無影響。
題型：判斷題
本征半導(dǎo)體是（），導(dǎo)電能力弱。
題型：單項選擇題
3個JK觸發(fā)器，通過電路設(shè)計，可以接成（）進制以內(nèi)的，任意進制的計數(shù)器。
題型：單項選擇題