你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題

硅膠薄層板活化最適宜溫度和時(shí)間（）。

A.150℃/30min
B.100~105℃/60min
C.110℃/30min
D.110~115℃/30min

單項(xiàng)選擇題

在薄層層析中化合物斑點(diǎn)的Rf值是指：（）。

A.溶劑前沿移離薄層板底邊的距離與化合物斑點(diǎn)移離薄層板底邊的距離的比值
B.溶劑前沿移離原點(diǎn)的距離與化合物斑點(diǎn)移離原點(diǎn)的距離的比值
C.化合物斑點(diǎn)移離原點(diǎn)的距離與溶劑前沿移離原點(diǎn)的距離的比值
D.化合物斑點(diǎn)移離薄層板底邊的距離與溶劑前沿移離薄層板底邊的距離的比值

某化合物的溶液，加稀硝酸酸化后，滴加硝酸銀試液，即生成白色凝乳狀沉淀，沉淀可溶于氨試液，該化合物為：（）。

你可能感興趣的試題

硅膠薄層板活化最適宜溫度和時(shí)間（）。

在薄層層析中化合物斑點(diǎn)的Rf值是指：（）。

某化合物的溶液，加稀硝酸酸化后，滴加硝酸銀試液，即生成白色凝乳狀沉淀，沉淀可溶于氨試液，該化合物為：（）。

在薄層層析中化合物斑點(diǎn)的Rf值是指：（）。