問答題試述DRAM刷新過程和正常讀/寫過程的區(qū)別。
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最新試題
設(shè)寄存器DS=3000H,SS=2100H,ES=1200H,SI=1000H,BX=0100H,BP=0010H,數(shù)據(jù)段中變量MASK的偏移地址值為50H。指出下列指令中源操作數(shù)的尋址方式,對于存儲器操作數(shù),寫出其物理地址。(1)MOV CX,ES:[BX](2)MOV AX,MASK[BP](3)MOV AX,BX(4)MOV DX,ES:[BX][SI]
題型:問答題
CPU響應(yīng)所有類型的中斷都必須先檢測標(biāo)志寄存器的IF位,IF=1才可以響應(yīng)。
題型:判斷題
將AL中小字母變換成大寫字母是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
八位無符號二進(jìn)制數(shù)的補(bǔ)碼如下,()的真值最大。
題型:單項(xiàng)選擇題
8086的讀周期中,在T3狀態(tài)會檢測READY信號,如果未檢測到,說明數(shù)據(jù)并沒有全讀入,需要在T3后加入一個(gè)TW狀態(tài),同時(shí)也會在TW狀態(tài)檢測READY,如果一直沒有則會一直插入TW狀態(tài)。
題型:判斷題