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填空題 氯化銨法測(cè)定二氧化硅方法中
①即使在試樣燒結(jié)正常、分解完全、沉淀洗滌充分等諸操作條件掌握良好的情況下，在二氧化硅的沉淀中吸附的（）等雜質(zhì)量也能達(dá)到00.1～0.2％。
②對(duì)不溶物含量高的樣品來(lái)說(shuō)，如果不經(jīng)過(guò)氫氟酸處理，二氧化硅結(jié)果仍會(huì)偏高（），對(duì)燒結(jié)不好的試樣來(lái)說(shuō)，硅的結(jié)果將更加偏高，同時(shí)使（）的結(jié)果偏低。
③氯化銨法硅酸脫水不可能完全，總有少量硅酸進(jìn)入濾液中，漏失量與干涸、沉淀研細(xì)程度、過(guò)濾速度、濾紙質(zhì)量等諸因素有關(guān)，漏失量可從（）。

參考答案： 鐵、鋁；0.3～0.5％；鐵、鋁、鈦；0.1%～0.3％

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1.填空題氯化銨法測(cè)定二氧化硅一般操作是，先將試樣（），然后加入（），攪勻、燒結(jié)，加入5mL（）溶解后，置于沸水浴上加熱蒸發(fā)至（）時(shí)，加入1g（）充分?jǐn)噭?，再繼續(xù)蒸發(fā)至干，至無(wú)（）氣味為止。過(guò)濾，將二氧化硅沉淀在（）下灼燒至恒量。沉淀用（）處理后，再在（）下灼燒至恒量，二次質(zhì)量之差即為（）。用硅鉬藍(lán)比色法回收漏失在濾液中的可溶性二氧化硅?？偠趸枇康扔冢ǎ┡c（）之和。

參考答案：預(yù)燒；無(wú)水碳酸鈉；鹽酸；糊狀；氯化銨；鹽酸；950～1000℃；氫氟酸；950～1000℃；純二氧化硅量；純二氧化硅量；...

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2.填空題用氯化銨法測(cè)定二氧化硅的操作條件較寬。對(duì)0.5g試樣來(lái)講，加入（）氯化銨，（）濃鹽酸，在沸水浴上蒸發(fā)至干均可。

參考答案：0.5～4g；2～5mL

3.填空題氯化銨重量法來(lái)快速測(cè)定二氧化硅主要原理是：在含硅酸的（）溶液中，加入足量的固體（），由于氯化水解，奪取了硅酸顆粒中的水分，加速了（）過(guò)程，促使含水二氧化硅由溶于水的（）變?yōu)椴蝗苡谒模ǎ煌瑫r(shí)，在酸溶液中硅酸的質(zhì)點(diǎn)是親水性很強(qiáng)的膠體，帶有（），氯化銨是強(qiáng)電解質(zhì)，有帶（）存在，在加熱蒸發(fā)的條件下，（）中和，從而加快了硅酸的（），使之產(chǎn)生（）。

參考答案：濃鹽酸；氯化銨；脫水；水溶膠；水凝膠；負(fù)電荷；正電荷的NH₄⁺；正負(fù)電荷；凝聚；沉淀

4.填空題經(jīng)鹽酸脫水后析出的硅酸沉淀總夾帶有（）等雜質(zhì)。因此，灼燒過(guò)的二氧化硅沉淀還須用（）處理。殘?jiān)儆媒沽蛩徕浫廴?，水提取，將溶液合并于主液中（回收（）等）?/a>

參考答案：鐵、鋁、鈦；氫氟酸-硫酸；鐵、鋁、鈦

5.填空題鹽酸蒸干法測(cè)硅，必須嚴(yán)格控制蒸干脫水的（）與（），溫度太低或時(shí)間太短，則硅酸脫水（）；溫度過(guò)高，時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，一方面硅酸易被（），另一方面會(huì)形成（）等，這些因素都會(huì)影響二氧化硅的結(jié)果。

參考答案：溫度；時(shí)間；不完全；許多雜質(zhì)所玷污；可溶性的硅酸鎂