問答題

【簡答題】列出并闡述刻蝕多晶硅的三個步驟。

答案：

1.對下層?xùn)叛趸瘜泳哂懈叩倪x擇比
2.非常好的均勻性和可重復(fù)性。
3.高度的各向異性
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問答題

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答案： 氯氣、溴氣、氯/溴氣
原因：因為氟基氣體的刻蝕是各向同性的并且對光刻膠的選擇比一般，為了避免擊掉下一層的氧化物...
問答題

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答案： 首先在層間介質(zhì)二氧化硅中刻出通孔窗口，
然后再覆蓋有TiN阻擋層的通孔窗口中淀積W，
最后進行干法等...
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