刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。