光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。