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晶體管的注入效率是指()電流與()電流之比。為了提高注入效率,應(yīng)當(dāng)使()區(qū)摻雜濃度遠(yuǎn)大于()區(qū)摻雜濃度。
答案:
從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的少子;總的發(fā)射極;發(fā)射;基
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填空題
晶體管中的少子在渡越()的過程中會(huì)發(fā)生(),從而使到達(dá)集電結(jié)的少子比從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子()。
答案:
基區(qū);復(fù)合;小
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晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)是指()電流與()電流之比。由于少子在渡越基區(qū)的過程中會(huì)發(fā)生(),從而使基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)()。為了提高基區(qū)輸運(yùn)系數(shù),應(yīng)當(dāng)使基區(qū)寬度()基區(qū)少子擴(kuò)散長度。
答案:
基區(qū)中到達(dá)集電結(jié)的少子;從發(fā)射結(jié)剛注入基區(qū)的少子;復(fù)合;小于 1;遠(yuǎn)小于
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