刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

摻雜后退火時間一般在（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。