A.3
B.4
C.5
D.6
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A.加減3
B.加減4
C.加減5
D.加減6
A.4
B.6
C.8
D.10
A.原
B.反
C.補(bǔ)
D.移
A.2
B.3
C.4
D.5
A.1
B.2
C.3
D.4
最新試題
主存儲器通常由以下哪些部分組成?()
存儲在能永久保存信息的器件中的程序被稱為()。
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和()之間的矛盾。
從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對于同一個數(shù)值,它的()與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號位相反。(2)浮點數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點的位置可以在數(shù)據(jù)位移動的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來的。(5)在實用中把浮點數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項處理稱之為()。
在現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)的多級層次結(jié)構(gòu)中,用機(jī)器指令編寫的程序可以由()進(jìn)行解釋。
將十六進(jìn)制數(shù)(2BA)16化成十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。