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探傷用的紫外光源波長應為254-390納米(nm)(注:1nm=10
-7
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判斷題
磁粉探傷設備采用可控硅調(diào)壓的方法,是調(diào)整可控硅的導通角來控制初級電壓達到磁化電流連續(xù)可調(diào)的目的
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硬磁性材料的磁滯回線呈肥胖狀(圖a),軟磁性材料的磁滯回線呈瘦窄狀(圖b)
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