A.與試件上總的磁通密度有關(guān) B.與缺陷自身高度有關(guān) C.磁化方向與缺陷垂直時(shí)漏磁通最大 D.以上都對(duì)
A.內(nèi)部缺陷處的漏磁通比同樣大小的表面缺陷漏磁通大 B.缺陷的漏磁通通常與試件上的磁場(chǎng)強(qiáng)度成反比 C.表面缺陷的漏磁通密度,隨離開表面的距離增大而急劇下降 D.用有限線圈磁化長(zhǎng)的工件,不需要進(jìn)行分段磁化
A.縱向的表面和近表面缺陷 B.橫向的表面和近表面缺陷 C.斜向的表面和近表面缺陷 D.以上都是