無極性電容、熔斷器、玻璃封裝二極管采用電烙鐵搪錫時(shí)，其搪錫溫度為（）；采用錫鍋搪錫時(shí)，其搪錫溫度為（）

元器件若安裝在裸露電路之上，引線成形使元器件本體底部與裸露電路之間至少留有（）的間隙，但最大距離一般不應(yīng)超過（）

再流焊設(shè)備內(nèi)部溫度均勻性應(yīng)良好，橫向溫差應(yīng)不超過（），爐內(nèi)溫度的控制精度應(yīng)在（）以內(nèi)。

對(duì)元器件引線的氧化層去除，下述描述錯(cuò)誤的是（）

關(guān)于鍍金引線搪錫描述錯(cuò)誤的是（）

微分電路與阻容耦合電路的形狀是一樣的，二者區(qū)別是（）

波峰焊機(jī)焊槽內(nèi)的溫度應(yīng)控制在（）范圍，焊接時(shí)間為（）

在多級(jí)放大器中，放大器的帶寬與級(jí)數(shù)成（）關(guān)系。

晶體管電路中，電流分配公式是（）

手工焊接MOS集成電路時(shí)先焊接（），后焊接（）