A.IGBT ,GTO
B.電力MOSFET ,GTR
C.IGBT ,電力MOSFET
D.GTO ,GTR
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A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端
A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負溫度系數(shù),不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時的均流不利。
A.一次擊穿
B.臨界飽和
C.反向截止
D.二次擊穿
A.晶閘管導通后,門極一旦無電流,則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導通,門極就失去控制作用。
C.晶閘管導通后,門極一旦加反向電壓,則晶閘管就立即關(guān)斷。
A.典型輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
B.典型輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。
C.典型輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、線性區(qū)和非飽和區(qū)。
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最新試題
6進制異步清零,最后一個計數(shù)狀態(tài)應(yīng)該為()
全加器的輸入信號是()
下面哪個集成元件為四位二進制超前進位全加器()
3個JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計,可以接成()進制以內(nèi)的,任意進制的計數(shù)器。
從000一直到100這五個狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來一個脈沖它就加一,很顯然它是一個()加法計數(shù)器。
集成運放在信號運算中的應(yīng)用電路有()
3位二進制加法計數(shù)器的,計數(shù)長度為()
本征半導體是(),導電能力弱。
異步計數(shù)器的計數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進位脈沖,采用逐級傳遞方式進行觸發(fā)。
交流放大電路接入負載電阻后,對靜態(tài)工作狀態(tài)無影響。