A.有效性
B.周期性
C.全局性
D.局部性
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估計(jì)下面這個(gè)磁盤上一個(gè)扇區(qū)的平均訪問時(shí)間(以ms為單位):()
A.10.08ms
B.20.08ms
C.20ms
D.28ms
A.DRAM
B.SRAM
C.PROM
D.SDRAM
A.3
B.4
C.5
D.6
A.1.54
B.3.20
C.3.13
D.1.67
A.高級設(shè)計(jì)
B.基本編碼原則
C.低級優(yōu)化
D.以上三個(gè)都是
最新試題
寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示,正確結(jié)果為()。
將十六進(jìn)制數(shù)(1A5)16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù),正確結(jié)果為()。
在計(jì)算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問、低功耗和大容量?()
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對于同一個(gè)數(shù)值,它的()與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號位相反。(2)浮點(diǎn)數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點(diǎn)數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來的。(5)在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項(xiàng)處理稱之為()。
計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是()。
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001,Y=0.1101,求[X -Y]補(bǔ),正確結(jié)果為()。
將十進(jìn)制數(shù)(-0.288)10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù),要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位,正確結(jié)果為()。
()又稱字選法,所對應(yīng)的存儲器是字結(jié)構(gòu)的。
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.微指令地址B.控制存儲器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡單G.復(fù)雜(1)微程序控制器是通過()的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。(2)微程序控制器的控制信號被讀出后,還需經(jīng)過一個(gè)()送到被控制部件。(3)相對硬連線控制器,微程序控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)()。(4)為了獲得快一些的運(yùn)行速度,控制器部件應(yīng)選擇()。(5)()是微程序控制器的核心部件。