動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。

主存儲(chǔ)器通常由以下哪些部分組成？（）

由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來(lái)實(shí)現(xiàn)的做法被稱為（）

計(jì)算機(jī)采用總線結(jié)構(gòu)的好處是（）。

寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示，正確結(jié)果為（）。

（）是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù)，是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點(diǎn)數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)（1）對(duì)于同一個(gè)數(shù)值，它的（）與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同，符號(hào)位相反。（2）浮點(diǎn)數(shù)用（）表示數(shù)據(jù)。（3）小數(shù)點(diǎn)的位置可以在數(shù)據(jù)位移動(dòng)的數(shù)據(jù)稱為（）。（4）浮點(diǎn)數(shù)的溢出，是由其（）是否溢出表現(xiàn)出來(lái)的。（5）在實(shí)用中把浮點(diǎn)數(shù)的尾數(shù)左移一位，將最高位的1移走，從而提高數(shù)值的精度，這項(xiàng)處理稱之為（）。

（）又稱字選法，所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器是字結(jié)構(gòu)的。