A.ARCHITECTURE
B.ENTITY
C.PROCESS
D.PACKAGE
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.順序
B.并行
C.即可順序也可并行
D.無法確定
A.行為、元件及連接關(guān)系
B.元件、子程序、公用數(shù)據(jù)類型
C.名稱和端口的引腳等
D.可編譯的設(shè)計單元
A.行為、元件及連接關(guān)系
B.元件、子程序、公用數(shù)據(jù)類型
C.名稱和端口的引腳等
D.可編譯的設(shè)計單元
A、如果a+b=a+c,則b=c
B、如果ab=ac,則b=c
C、如果a*a=1,則a=1
D、如果a+a=a,則a=1
A.基本RS觸發(fā)器
B.同步D觸發(fā)器
C.主從JK觸發(fā)器
D.維持-阻塞D觸發(fā)器
最新試題
一個16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時輸入()路編碼信號。
以下代碼中為無權(quán)碼的為()。
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱為()觸發(fā)器。
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
用1M×4的DRAM芯片通過()擴展可以獲得4M×8的存儲器。
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字數(shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()