硅光電二極管的電流靈敏度一般比硅光電三極管低。

光伏探測(cè)器的頻率特性會(huì)隨著外接負(fù)載的變化而變化。

光電池在光照下的PN結(jié)伏安特性圖上工作在第四象限。

當(dāng)入射光照射到一維PSD光敏層時(shí)，從兩個(gè)電極輸出的電流大小分別與光點(diǎn)到各電極的距離成正比。

如圖所示是克希何夫與本生架設(shè)的光譜實(shí)驗(yàn)裝置，對(duì)于該裝置，以下說法中正確的是（）。

在微變等效電路中，光伏探測(cè)器可以等效于電流源和一個(gè)普通二極管的串聯(lián)。

如圖所示是光在光纖中的傳播示意圖，圖中n0是空氣折射率，n1是光纖纖芯折射率，n2是光纖涂覆層折射率，根據(jù)圖中所示信息，（）表示光纖的受光角。

光纖型Mach-Zehnder干涉主要基于光纖干涉中光程差的變化測(cè)量，而光程差的變化，最終會(huì)引起相位差的變化，因此，光纖型Mach-Zehnder干涉也可以說是相位調(diào)制。當(dāng)真空中波長(zhǎng)為λ的光經(jīng)過光纖時(shí)，被調(diào)制光纖的長(zhǎng)度為L(zhǎng)，光纖纖芯的折射率為n，則光經(jīng)過光纖后，對(duì)應(yīng)的相位變化可以表示為（）。

負(fù)載電阻越小，光電池的光電流和照度的線性度越好。

雪崩增益與器件的材料無關(guān)。