單項(xiàng)選擇題在書寫晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí)，上標(biāo)為•表示帶（）個(gè)電荷。
A.+2
B.+3
C.-1
D.+1
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1.單項(xiàng)選擇題在書寫晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí)，上標(biāo)不寫表示帶（）個(gè)電荷。
A.0
B.-1
C.+2
D.+3
2.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)缺陷根據(jù)產(chǎn)生原因可以分為（）類。
A.1
B.2
C.3
D.4
