電路如圖所示,電路中JFETT1、T2的gm=1.41mS,λ1=0.01V-1,BJT的rce4=100kΩ,電流源電流IO=1mA,動(dòng)態(tài)電阻rO=2000kΩ,RL=40kΩ。當(dāng)vid=40mV時(shí),求輸出電壓vo2、共模電壓增益Avc2和共模抑制比KCMR2。
電路如圖所示,電路參數(shù)如圖所示,已知JFET的IDSS=4mA,VP=-2V,T1、T2的gm=1.41mS,電流源電路T3的gm3=2mS,電流源的動(dòng)態(tài)電阻RAB=2110kΩ。 (1)求電路Avd2、Avc2(從d2輸出時(shí))和KCMR2; (2)當(dāng)vi1=50mV,vi2=10mV時(shí),求vo2=?
電路如圖所示,輸入信號(hào)電壓,已知電路中T1~T4參數(shù)gm1=gm2,gm3=gm4,rds1=rds2,rds3=rds4,證明電路的電壓增益為