問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】試比較GTR、GTO、MOSFET、IGBT之間的差異和各自的優(yōu)缺點(diǎn)。

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答案: 二者都是電流型驅(qū)動(dòng)型器件,其開(kāi)通和關(guān)斷都要求有相應(yīng)的觸發(fā)脈沖,要求其觸發(fā)電流脈沖的上升沿陡且實(shí)行強(qiáng)觸發(fā)。GTR要求在導(dǎo)通...
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