交流耐壓試驗時，應(yīng)測量試驗電壓的峰值Um，并使Um/√2＝標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗電壓U（有效值）。

絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。

GIS耐壓試驗之前，進(jìn)行老化（凈化）試驗的目的是：使設(shè)備中可能存在的活動微粒雜質(zhì)遷移到低電場區(qū)，并通過放電燒掉細(xì)小微粒或電極上的毛刺、附著的塵埃，以恢復(fù)GIS絕緣強(qiáng)度，避免不必要的破壞或返工。

對現(xiàn)場使用的電氣儀器儀表,儀表本身消耗的功率越小越好，否則在測小功率時，會使電路工況改變而引起附加誤差。

超高頻局部放電試驗?zāi)軌虬l(fā)現(xiàn)設(shè)備內(nèi)部發(fā)熱、放電及絕緣缺陷。